Samsung начинает производство 10-нм RAM памяти второго поколения

Вчера Samsung запустили в массовое производство второе поколение 10-нанометровой памяти DDR4 DRAM, которое станет основой для будущего DDR4 RAM.

Новое поколение оперативной памяти Samsung, построенной по 10-нм техпроцессу, примерно на 10% энергоэффективнее и на 15% быстрее, чем предыдущее поколение.

Samsung начинает производство 10-нм RAM памяти второго поколения

Новый модуль на 8Gb DD4 может работать со скоростью 3600 мегабит в секунду на по сравнению с 3200 Мбит в предыдущем поколении.

Это означает, что у Samsung сейчас лучшая аппаратная база, на которой в скором времени начнется производство более быстрой оперативной памяти, которая будет использоваться в смартфонах (Galaxy S9), ноутбуках, ПК, умных часах и других умных девайсах.

0 комментов Вперед к обсуждению! 🙈 →