Samsung начинает производство 10-нм RAM памяти второго поколения
Вчера Samsung запустили в массовое производство второе поколение 10-нанометровой памяти DDR4 DRAM, которое станет основой для будущего DDR4 RAM.
Новое поколение оперативной памяти Samsung, построенной по 10-нм техпроцессу, примерно на 10% энергоэффективнее и на 15% быстрее, чем предыдущее поколение.
Новый модуль на 8Gb DD4 может работать со скоростью 3600 мегабит в секунду на по сравнению с 3200 Мбит в предыдущем поколении.
Это означает, что у Samsung сейчас лучшая аппаратная база, на которой в скором времени начнется производство более быстрой оперативной памяти, которая будет использоваться в смартфонах (Galaxy S9), ноутбуках, ПК, умных часах и других умных девайсах.
