Новости

Samsung готовит к производству сверхбыстрые чипы памяти eUFS 3.1

17.03.2020

Samsung готовит к производству сверхбыстрые чипы памяти eUFS 3.1

Стандарт флэш памяти UFS 3.0 был представлен около года назад. На данный момент память UFS 3.0 используется в OnePlus 7 Pro, Galaxy Fold, в линейке Galaxy S20 и Xiaomi Mi 10.

Samsung готовится начать производить флэш накопители объемом до 512 Гб. Компания утверждает, что теоретическая скорость записи может преодолеть барьер в 1 Гбайт/с.

Подобная скорость записи позволит записывать на накопитель фильм объемом 100 Гб всего за 1,5 минуты, сейчас же eUFS 3.0 требуется около 4-х минут.